Наверх

Toshiba делает прорыв в области Flash-памяти

12.07.2013

Современная Flash-память изготавливается чаще всего по технологии NAND, которая является на сегодняшний день важным компонентом потребительской электроники. Она используется на картах памяти, твердотелых накопителях SSD и Flash-накопителях огромного количества электронных устройств.

Группа специалистов компании Toshiba усовершенствовала технологию производства NAND Flash-памяти. Новое, второе поколение NAND Flash-памяти имеет свойство хранить в одной ячейке два бита информации.

Новые, 64-гигабитные чипы, имеют площадь 96 квадратных миллиметров. На сегодняшний день эти чипы обеспечивают самую высокую плотность информации, записанной на Flash-память.

Кроме того, новый инновационный контроллер микросхемы обеспечивает высокую скорость записи информации на NAND Flash-память, которая составляет 25 МВ/сек.

Массовый выпуск новых устройств NAND Flash-памяти, ёмкость которых 64 гигабита, будет организован в самое ближайшее время.

Специалисты Toshiba продолжают усовершенствование технологии NAND Flash-памяти. Следующее поколение Flash-памяти планируется трёхбитовым, т. е., в одну ячейку будет записываться три бита информации. Массовый выпуск NAND Flash-памяти с трёхбитной ячейкой памяти планируется на вторую половину этого года.